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サーキュレーター・アイソレーター
デバイス
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Package Index

特徴

  • CuW、CPC、SCMC、銅フランジなど幅広い選択肢
  • フルボディヘッダーと蓋、メッキフランジ、ミニパック製品形態
  • お客様の好みに応じて耳付きまたは耳なし
  • トップサプライヤーからの実績のある主流の大量パッケージ
  • エポキシ蓋シールに重点を置く（一部のケースでは気密シールもオプション）

&接地ビアを介したSMTまたはヒートシンク上への直接実装による典型的なプラスチックパッケージ

  • DFNオーバーモールド：44mm(PD)、44.5mm(P2)、65mm(P3)、76.5mm(P5)
  • QFNオーバーモールド：77mm(P4),106mm(P6),8*8mm(P8)
  • QFNオープンキャビティ（特許取得済み）：106mm（C6）、1210mm（C9）

エアキャビティプラスチックパッケージと同じ外形を持つ典型的なエアキャビティプラスチックパッケージ

  • A2C（A2/AY2）、B4C（BY4/B4）、D4C（D4）

GaN IMFETの標準パッケージ

  • H3:3027mm、H2:2417mm
AC401530
Package Bands(GHz) Gain（dB） P_1(dBm) OIP3(dBm) VCC(V) ICC(mA) Status
DFN 2*2 HF-4.0 13 30 45 5 160 Released 資料
AC702530
Package Bands(GHz) Gain（dB） P_1(dBm) OIP3(dBm) VCC(V) ICC(mA) Status
QFN 4*4 16L 5.5-7.5 25 30 5 180 Released 資料
AC552228
Package Bands(GHz) Gain（dB） P_1(dBm) OIP3(dBm) VCC(V) ICC(mA) Status
QFN 4*4 16L 4.9-5.9 22 30.5 5 240 Released 資料
AC352830
Package Bands(GHz) Gain（dB） P_1(dBm) OIP3(dBm) VCC(V) ICC(mA) Status
QFN 4*4 16L 2.7-3.8 28 30 / 5 120 Released 資料
AC352833
Package Bands(GHz) Gain（dB） P_1(dBm) OIP3(dBm) VCC(V) ICC(mA) Status
QFN 4*4 16L 3.2-3.8 28 33 / 5 400 Released 資料
AC2233W
Package Bands(GHz) Gain（dB） P_1(dBm) OIP3(dBm) VCC(V) ICC(mA) Status
QFN 4*4 16L 0.7-2.7 22 34.5 5 240 Released 資料
AC243433
Package Bands(GHz) Gain（dB） P_1(dBm) OIP3(dBm) VCC(V) ICC(mA) Status
QFN 4*4 16L 2.3-2.7 35 33 5 320 Released 資料
AC3236W
Package Bands(GHz) Gain（dB） P_1(dBm) OIP3(dBm) VCC(V) ICC(mA) Status
QFN 4*4 16L 0.3-1 32 36 5 380 Released 資料
AC3035W
Package Bands(GHz) Gain（dB） P_1(dBm) OIP3(dBm) VCC(V) ICC(mA) Status
QFN 4*4 16L 1.8-2.8 30 35 5 450 Released 資料
Bare Discrete Die

単一ダイの標準電力

  • 12V LDMOS: 1～30W
  • 28V LDMOS: 1～180W
  • 50V LDMOS: 2～300W
  • 28V RF GaN: 1-180W、
  • 50V RF GaN: 10～450W
  • チップコンデンサ: 2-200pF

周波数 の上限やその他の詳細については、当社にお問い合わせください。

試験、梱包、組み立て

  • 出荷前に完全なテストと目視検査を実施
  • すべてのベアダイはGel-Pakコンテナに梱包されて出荷されます
  • 真空回収が推奨される回収方法です
  • ダイアタッチ方法：銀焼結またはAu-Snはんだ付け
  • ワイヤボンディング方式：AlまたはAuワイヤ

応用

  • 広帯域アンプ
  • 無線リンクアンプ
  • TRXコンポーネント
  • チップオンキャリアRFサブシステム
  • テストと測定
IA30N1317
Drain Voltage (V) Frequency (Min-Max) (MHz) Input Power(mW) Output Power(W)
12.5 136 ~ 174 50 30
IA60N4452
Drain Voltage (V) Frequency (Min-Max) (MHz) Input Power(mW) Output Power(W)
12.5 440 ~ 520 50 60
IA60N3847
Drain Voltage (V) Frequency (Min-Max) (MHz) Input Power(mW) Output Power(W)
12.5 378 ~ 470 50 60
IA60N1317
Drain Voltage (V) Frequency (Min-Max) (MHz) Input Power(mW) Output Power(W)
12.5 136 ~ 174 50 60
IA30N4452
Drain Voltage (V) Frequency (Min-Max) (MHz) Input Power(mW) Output Power(W)
12.5 440 ~ 520 50 30
IA30N3847
Drain Voltage (V) Frequency (Min-Max) (MHz) Input Power(mW) Output Power(W)
12.5 378 ~ 470 50 30
I2MPA0105-60H
Category Bands(GHz) Psat(W) Vds(V) Eff(%) Power Gain(dB) Size(mm)
Pallet 0.1-0.5 60(CW) 28 50 30 45*60 資料
I2MPA0510-50H
Category Bands(GHz) Psat(W) Vds(V) Eff(%) Power Gain(dB) Size(mm)
Pallet 0.5-1.0 50(CW) 28 40 27 45*60 資料
S2MAH0407-70H3P
Category Bands(GHz) Psat(W) Vds(V) Eff(%) Power Gain(dB) Size(mm)
Pallet 0.4-0.7 70(CW) 28 50 29 30.8*27.4 H3P 資料
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