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- デバイス（innogration）
- Bare Discrete Die
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Bare Discrete Die
Typical power of single die
- 12V LDMOS: 1～30W
- 28V LDMOS: 1～180W
- 50V LDMOS: 2～300W
- 28V RF GaN: 1-180W、
- 50V RF GaN: 10～450W
- チップコンデンサ: 2-200pF
周波数 の上限やその他の詳細については、当社にお問い合わせください。
