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Bare Discrete Die

単一ダイの標準電力
- 12V LDMOS: 1~30W
- 28V LDMOS: 1~180W
- 50V LDMOS: 2~300W
- 28V RF GaN: 1-180W、
- 50V RF GaN: 10~450W
- チップコンデンサ: 2-200pF
周波数 の上限やその他の詳細については、当社にお問い合わせください。
試験、梱包、組み立て
- 出荷前に完全なテストと目視検査を実施
- すべてのベアダイはGel-Pakコンテナに梱包されて出荷されます
- 真空回収が推奨される回収方法です
- ダイアタッチ方法:銀焼結またはAu-Snはんだ付け
- ワイヤボンディング方式:AlまたはAuワイヤ
応用
- 広帯域アンプ
- 無線リンクアンプ
- TRXコンポーネント
- チップオンキャリアRFサブシステム
- テストと測定